Кремниевая планарная технология изготовления электронных микросхем подошла к своему пределу. Размер одного элемента в современных коммерческих процессорах составляет 22 нм, а теоретически достижимый предел для кремния — около 12 нм.
Это означает, что впервые за два десятилетия может перестать выполняться закон Мура, предполагающий удвоение плотности транзисторов раз в два года. А вслед за этим замедлится и прогресс компьютерной техники.
Из ситуации есть несколько выходов: применение новых материалов (таких как графен или углеродные нанотрубки) или новой топологии микросхем. Но до прошлой среды обе эти возможности оставались чисто теоретическими. И вот 4 мая специалисты компании Intel объявили о том, что технология изготовления трехзатворных объемных транзисторов ими не только разработана, но и активно готовится к коммерческому внедрению.
По словам Марка Бора, старшего научного сотрудника Intel, такие микросхемы производительнее обычных на 37% и потребляют в два раза меньше энергии. Но самое главное — теперь предел наращивания числа транзисторов на кристалле надолго снят. Трехмерные транзисторы могут иметь больше контактных площадок, поэтому новая технология представляет собой не только количественный, но и качественный скачок.
В НИОКР по трехмерным транзисторам американская компания вложила $8 млрд, еще 5 млрд были инвестированы в строительство нового завода в Аризоне.
